خلّيني أسألك: جالك هاتف بيسحب بين 100 و250 مللي أمبير على الباور سبلاي، هتحدد العطل في إيه؟ هتقول: ريبولينج للمعالج، أو ذاكرة، أو رام. تمام. طب أخدت قياسات؟ هتقول: الجهود الأساسية VBATT وVPH وVBUS كلها تمام. وخرج آيسي الباور؟ هتقول: أكيد زي الفل، لأن لو فيه شورت على الخرج كان هيسحب أكتر من كده بكتير.
هنا الخداع الحقيقي بيبدأ.
PM6250: LDO بتديك نفس سحبة الريبولينج
آيسي الباور Qualcomm PM6250 موجود في أجهزة كتير جدًا، وكتير مايعرفوش إن بعض خروجات الـ LDO (منظم جهد صغير) لو فيها شورت هتديك سحب من 110 لـ 230 مللي. نفس سحبة الريبولينج بالظبط. تعالى نفتح مخطط Samsung A725 (SM-A725F) ونشوف المسارات اللي لو حصل فيها شورت هتوديك ناحية المعالج أو الذاكرة رغم إن العطل مش منهم.
| المسار | السحب | بيغذي إيه |
|---|---|---|
| VREG_L4 | 110 مللي | المعالج |
| VREG_L5 | 110 مللي | حساس GRIP في البوردة السفلية |
| VREG_L6 | 233 مللي | المعالج والذاكرة مع بعض |
هتقول: ما هو برضه رايح للمعالج! يا ابني افهم، أنا قلت شورت مش ضعف لحام. والشورت ممكن يكون على أي مكون متوازي على نفس المسار، مش لازم يكون جوه المعالج. وحتى لو كان جواه، مش هيتحل بريبولينج.
وفي مسار L5 تخيل نقطة ماء تدخل من ناحية كونكتور الشحن، والجهاز يفصل باور ويسحب سحبة معالج. وفي L6 حتى لو رفعت الطقم كله ممكن الشورت يفضل في البوردة.
سحبة شورت على خرج LDOمن 110 لـ 230 مللي أمبير
اللي بحاول أقوله: شورت خرج آيسي الباور مش شرط يظهر بسحب عالي، ولا بسحب أقل من سحبة المعالج. ممكن يقلّد سحبة الريبولينج والذاكرة بالحرف.
أتأكد إزاي؟
- تجنّب آيسي الشحن تمامًا، خصوصًا لو فيه دايرة USB داخلية. وصّل موجب الباور سبلاي على VPH وسالبه على أرضي البوردة، واضغط زر الباور. لو نفس السحب ظهر، روح على خرج آيسي الباور.
- قيس ممانعة كل خط، مش الجرس. بلاش وضع البازر خالص. قارن قراءاتك بقيم مرجعية صحيحة من نفس نوع الأفوميتر أو ببوردة سليمة.
ولو الممانعات كلها سليمة، ساعتها ارجع لسحبات الباور سبلاي وقرر تبدأ بالمعالج ولا الذاكرة ولا الرام. بس ساعتها هتكون حددت صح، مش ماشي ورا سحبة مزيفة.